'초고속·초절전 설계'·'셀 데이터 센싱시스템'·'2세대 에어 갭' 적용
삼성전자가 메모리 반도체 수퍼사이클(장기호황)이 이어지고 있는 가운데 '혁신적 D램 기술'로 초격차 전략을 구체화하는데 성공했다. '마(魔)의 장벽'으로 불리는 반도체 미세공정 기술의 한계를 또 다시 넘어선 것. 삼성전자는 3대 혁신 공정 기술로 진입장벽을 높여 경쟁사와 격차를 최대한 벌리겠다는 전략이다.
20일 서울 중구 태평로 삼성전자에서 열린 '2세대 10나노급 D램' 브리핑에서 삼성전자의 한 관계자는 "디램 공정을 10나노(1x·1y)급으로 전환하는 것을 목표로 사업을 진행중"이라고 설명했다.
이어 "에어 갭 기술 적용에 따를 수 있는 내구도 문제는 기술개발 과정에서 해결했으며 셀 내부에 지지체를 추가하는 기술을 적용하는 등 고성능 D램 솔루션으로 볼 수 있다"고 덧붙였다.
이날 삼성전자는 역대 최고 수준의 공정 개발 난제를 극복하고 세계 최초로 '10나노급 2세대(1y나노) D램'을 양산한다고 밝혔다. 회사 측은 이미 지난달부터 세계 최소 칩 사이즈의 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산하고 있다.
삼성전자의 목표는 내년 반도체 독주 체제를 더욱 공고히 하기 위한 '초격차'다.
삼성전자는 지난 2016년 2월 '1x나노(10나노급 1세대) 8Gb D램'을 양산하며 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 지 21개월만에 또 다시 반도체 미세공정 한계를 극복했다.
특히 이번 2세대 10나노급 D램 제품에는 △'초고속·초절전·초소형 회로 설계 △초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계 △2세대 에어 갭(Air Gap) 공정 등 3가지 첨단 혁신 공정이 적용됐다.
2세대 10나노급 D램은 '초고속·초절전·초소형 회로 설계'를 기반으로 기존 1세대 10나노급 D램 대비 속도는 10% 이상 향상됐고 소비 전력량은 15% 이상 절감됐다.
또 '초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계' 기술로 초정밀 전압차이 감지 시스템 개발로 셀에 저장된 데이터를 더욱 정밀하게 확인해 셀 데이터 읽기 특성을 2배 이상 높였다.
'2세대 에어 갭(Air Gap) 공정'은 전류가 흐르는 비트라인(bit line) 주변의 미세 영역을 특정 물질 대신 절연효과가 뛰어난 공기로 채우는 공정 기술이다.
이에 대해 해당 삼성전자 관계자는 기술적 한계에 대한 문제를 푸는 방식을 기존과 다른 방식으로 접근했다고 설명했다.
그는 "CELL 영역에서 한계를 극복하는 것을 발상의 전환이라고 보고 있다"며 "속도, 용량, 파워, 그리고 코스트, 4가지 관점에서 지속적으로 잡기 위한 성과를 이뤘다고 판단하면 될 것"이라고 말했다.
현재 삼성전자는 D램과 낸드플래시 모두 시장 점유율 1위다. 업계에서는 삼성전자가 10나노급 D램을 적용한 64GB 이상 고용량 서버 D램, LPDDR4X 등의 제품 판매가 탄력을 받고 있으며 평택 단지에서 64단 3D V낸드까지 본격 양산, 고부가·고용량 메모리 제품 공급을 늘리고 있어 일종의 '굳히기'에 들어갔다는 시각도 있다.
한편 삼성전자는 내년 반도체사업 경쟁력 강화를 위해 '메모리 초격차'를 유지하는 동시에 파운드리 및 시스템 LSI 사업을 확대하는 방안을 추진중이다.
삼성전자는 지난 18일부터 20일까지 디바이스솔루션(DS) 사업부 등 부품 부문 글로벌 전략회의를 잇따라 열고 이런 방침을 정한 것으로 알려졌다.
이진욱 한경닷컴 기자 showgun@hankyung.com
기사제보 및 보도자료 open@hankyung.com
기업의 환율관리 필수 아이템! 실시간 환율/금융서비스 한경Money
[ 무료 주식 카톡방 ] 국내 최초, 카톡방 신청자수 35만명 돌파 < 업계 최대 카톡방 > --> 카톡방 입장하기!!
삼성전자가 메모리 반도체 수퍼사이클(장기호황)이 이어지고 있는 가운데 '혁신적 D램 기술'로 초격차 전략을 구체화하는데 성공했다. '마(魔)의 장벽'으로 불리는 반도체 미세공정 기술의 한계를 또 다시 넘어선 것. 삼성전자는 3대 혁신 공정 기술로 진입장벽을 높여 경쟁사와 격차를 최대한 벌리겠다는 전략이다.
20일 서울 중구 태평로 삼성전자에서 열린 '2세대 10나노급 D램' 브리핑에서 삼성전자의 한 관계자는 "디램 공정을 10나노(1x·1y)급으로 전환하는 것을 목표로 사업을 진행중"이라고 설명했다.
이어 "에어 갭 기술 적용에 따를 수 있는 내구도 문제는 기술개발 과정에서 해결했으며 셀 내부에 지지체를 추가하는 기술을 적용하는 등 고성능 D램 솔루션으로 볼 수 있다"고 덧붙였다.
이날 삼성전자는 역대 최고 수준의 공정 개발 난제를 극복하고 세계 최초로 '10나노급 2세대(1y나노) D램'을 양산한다고 밝혔다. 회사 측은 이미 지난달부터 세계 최소 칩 사이즈의 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산하고 있다.
삼성전자의 목표는 내년 반도체 독주 체제를 더욱 공고히 하기 위한 '초격차'다.
삼성전자는 지난 2016년 2월 '1x나노(10나노급 1세대) 8Gb D램'을 양산하며 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 지 21개월만에 또 다시 반도체 미세공정 한계를 극복했다.
특히 이번 2세대 10나노급 D램 제품에는 △'초고속·초절전·초소형 회로 설계 △초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계 △2세대 에어 갭(Air Gap) 공정 등 3가지 첨단 혁신 공정이 적용됐다.
2세대 10나노급 D램은 '초고속·초절전·초소형 회로 설계'를 기반으로 기존 1세대 10나노급 D램 대비 속도는 10% 이상 향상됐고 소비 전력량은 15% 이상 절감됐다.
또 '초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계' 기술로 초정밀 전압차이 감지 시스템 개발로 셀에 저장된 데이터를 더욱 정밀하게 확인해 셀 데이터 읽기 특성을 2배 이상 높였다.
'2세대 에어 갭(Air Gap) 공정'은 전류가 흐르는 비트라인(bit line) 주변의 미세 영역을 특정 물질 대신 절연효과가 뛰어난 공기로 채우는 공정 기술이다.
이에 대해 해당 삼성전자 관계자는 기술적 한계에 대한 문제를 푸는 방식을 기존과 다른 방식으로 접근했다고 설명했다.
그는 "CELL 영역에서 한계를 극복하는 것을 발상의 전환이라고 보고 있다"며 "속도, 용량, 파워, 그리고 코스트, 4가지 관점에서 지속적으로 잡기 위한 성과를 이뤘다고 판단하면 될 것"이라고 말했다.
현재 삼성전자는 D램과 낸드플래시 모두 시장 점유율 1위다. 업계에서는 삼성전자가 10나노급 D램을 적용한 64GB 이상 고용량 서버 D램, LPDDR4X 등의 제품 판매가 탄력을 받고 있으며 평택 단지에서 64단 3D V낸드까지 본격 양산, 고부가·고용량 메모리 제품 공급을 늘리고 있어 일종의 '굳히기'에 들어갔다는 시각도 있다.
한편 삼성전자는 내년 반도체사업 경쟁력 강화를 위해 '메모리 초격차'를 유지하는 동시에 파운드리 및 시스템 LSI 사업을 확대하는 방안을 추진중이다.
삼성전자는 지난 18일부터 20일까지 디바이스솔루션(DS) 사업부 등 부품 부문 글로벌 전략회의를 잇따라 열고 이런 방침을 정한 것으로 알려졌다.
이진욱 한경닷컴 기자 showgun@hankyung.com
기사제보 및 보도자료 open@hankyung.com
기업의 환율관리 필수 아이템! 실시간 환율/금융서비스 한경Money
[ 무료 주식 카톡방 ] 국내 최초, 카톡방 신청자수 35만명 돌파 < 업계 최대 카톡방 > --> 카톡방 입장하기!!
관련뉴스
